电子元器件术语集

功率半导体

将电子元器件安装在印刷基板的方法之一。将电子元器件的焊尾(焊接端子)插入基板的通孔,并将其浸入焊锡槽中进行安装的方法。

word_dip

Electromagnetic Compatibility的缩写。兼指EMI、EMS的用语。不产生噪音并不受噪音影响。

Electromagnetic Interference的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障(电磁干扰)。部件本身不产生噪音。

Electromagnetic Susceptibility的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障。不受外来噪音影响。

Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。电流控制半导体元件。通过控制栅极电压,控制流动于集电极、发射极间的电流。兼具双极性晶体管与MOSFET的特征。

Surface Mount Device的缩写。称SMT(表面封装)用部件为SMD。

Surface Mount Technology的缩写。将电子元器件安装在印刷基板上的方法之一。在印刷基板表面涂敷焊料,安装部件,然后通过回流炉熔化焊料的安装方法。

word_smd_c

具有整流作用的半导体元件。电流从阳极流向阴极。

《二极管》从正向通电状态切换到反向时,恢复反向阻断能力所需时间。

word_recovery

将电子元器件安装在印刷基板上时,在熔炉中熔化涂敷在基板上的焊料并安装电子元器件的方法。

存储(非工作时)的环境温度保证范围。

施加规定的反向电压时过载的反向电流的峰值。

过载规定的正向电流时的正向电压峰值。

《二极管与晶闸管》工作时的结温保证范围。

在指定的条件下可在商用频率(50Hz/60Hz)下过载的最大平均电流。

在《晶闸管》指定的条件下可在商用频率(50Hz/60Hz)下过载的最大通态电流的平均值。

PN接面整流器,具有快速反向恢复时间 (trr),适用于高频电源整流的二极管。

分立式半导体 快恢复二极管(FRD)
FRD/SBD 模块

在管壳温度为25℃时的最大容许功耗。

可在《晶闸管》阳极与阴极间重复施加的断态电压的峰值。

PN接面整流器,用于整流作为交流的商用频率的二极管。

分立式半导体 普通整流二极管
普通整流二极管模块

用于电流控制与电流放大的半导体元件的总称。

电流控制用半导体元件。当向栅极‐阴极施加电流时,阳极-阴极之间将过载巨大电流。

【功率模块】 硅可控整流器

不重复性过载50Hz或60Hz正弦波1个周期的最大正向电流的峰值。

可连续通电的正向电流的有效值。

在热平衡状态下接合部位与周围之间或接合部位与管壳之间等2点之间每单位损失的温差。Rth(j-c):接合与管壳间、Rth(j-l):接合与导线间、Rth(j-a):接合与周围间。

用于计算1ms≦非重复峰值正向电流<10ms的值。

利用金属电极与半导体接触产生的电位势垒 (肖特基势垒) 的二极管。

分立式半导体 肖特基势垒二极管(SBD)
FRD/SBD 模块

导通《晶闸管》所需最小栅极电压。

导通《晶闸管》所需最小栅极电流。

不重复性过载《晶闸管》50Hz正弦波1个周期的最大通态电流的峰值。

可重复施加的反向电压的峰值/可在阳极与阴极间重复施加的反向电压的峰值。

电流从外部流入的电极(+极)。

word_anode_cathode_c.png

电流流出到外部的电极(-极)。

word_anode_cathode_c

可在将《IGBT》栅极与发射极间短路后施加在集电极与发射极间的电压的峰值。

《IGBT》可连续过载的集电极电流的最大值。

可非重复施加的反向电压的峰值。