电子元器件术语集
功率器件
将电子元器件安装在印刷基板的方法之一。将电子元器件的焊尾（焊接端子）插入基板的通孔，并将其浸入焊锡槽中进行安装的方法。
Electromagnetic Compatibility的缩写。兼指EMI、EMS的用语。不产生噪音并不受噪音影响。
Electromagnetic Interference的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障（电磁干扰）。部件本身不产生噪音。
Electromagnetic Susceptibility的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障。不受外来噪音影响。
Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。电流控制半导体元件。通过控制栅极电压，控制流动于集电极、发射极间的电流。兼具双极性晶体管与MOSFET的特征。
Surface Mount Device的缩写。称SMT（表面封装）用部件为SMD。
Surface Mount Technology的缩写。将电子元器件安装在印刷基板上的方法之一。在印刷基板表面涂敷焊料，安装部件，然后通过回流炉熔化焊料的安装方法。
具有整流作用的半导体元件。电流从阳极流向阴极。
指的是二极管和晶体管等具备单一功能的半导体。
分立式半导体 普通整流二极管
分立式半导体 快恢复二极管（FRD）
分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD）
Avalanche Guaranteed Schottky Barrier Diodes
《二极管》从正向通电状态切换到反向时，恢复反向阻断能力所需时间。
将电子元器件安装在印刷基板上时，在熔炉中熔化涂敷在基板上的焊料并安装电子元器件的方法。
存储（非工作时）的环境温度保证范围。
施加规定的反向电压时过载的反向电流的峰值。
过载规定的正向电流时的正向电压峰值。
《二极管与晶闸管》工作时的结温保证范围。
在指定的条件下可在商用频率（50Hz/60Hz）下过载的最大平均电流。
在《晶闸管》指定的条件下可在商用频率（50Hz/60Hz）下过载的最大通态电流的平均值。
PN接面整流器，具有快速反向恢复时间 (trr)，适用于高频电源整流的二极管。
在管壳温度为25℃时的最大容许功耗。
可在《晶闸管》阳极与阴极间重复施加的断态电压的峰值。
PN接面整流器，用于整流作为交流的商用频率的二极管。
用于电流控制与电流放大的半导体元件的总称。
电流控制用半导体元件。当向栅极‐阴极施加电流时，阳极-阴极之间将过载巨大电流。
不重复性过载50Hz或60Hz正弦波1个周期的最大正向电流的峰值。
可连续通电的正向电流的有效值。
在热平衡状态下接合部位与周围之间或接合部位与管壳之间等2点之间每单位损失的温差。Rth（j-c）：接合与管壳间、Rth（j-l）：接合与导线间、Rth（j-a）：接合与周围间。
用于计算1ms≦非重复峰值正向电流＜10ms的值。
利用金属电极与半导体接触产生的电位势垒 (肖特基势垒) 的二极管。
导通《晶闸管》所需最小栅极电压。
导通《晶闸管》所需最小栅极电流。
不重复性过载《晶闸管》50Hz正弦波1个周期的最大通态电流的峰值。
可重复施加的反向电压的峰值/可在阳极与阴极间重复施加的反向电压的峰值。
电流从外部流入的电极（+极）。
电流流出到外部的电极（－极）。
可在将《IGBT》栅极与发射极间短路后施加在集电极与发射极间的电压的峰值。
《IGBT》可连续过载的集电极电流的最大值。
可非重复施加的反向电压的峰值。
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