NA (SBD)

功率器件

分立式半导体肖特基势垒二极管（SBD）

NA (SBD)

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.

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小型、轻量化新型IGBT

介绍用于逆变器与伺服内制动器电路的小型IGBT·FRD模块。

低背薄型高散热分立式LPTO-263

与既有产品 (TO-263封装) 相比，LPTO-263封装具有低厚度、高散热性能。

低热阻标准二极管模块

由于优化了材料和结点条件，京瓷的二极管模块散热能力高，可在高温下进行稳定的整流。京瓷的二极管模块是酷劣的环境下电力转换高可靠性的解决方案。可提供额定电流从80A到700A，2合1到6合1等各种二极管模块。

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