功率器件
将电流强度作为一定损耗考虑时使用I2･ｔ，像保险丝/大电流产品之类的主要考虑I2･ｔ。而将升温作为一定损耗考虑时则使用I2･√ｔ。造 成半导体产品的过热损坏并非是由于电流强度达到某一级别引起的，而是硅晶片的升温达到足以被损坏的高温。也就是说规定升温值从而计算出I2･√ｔ才是更为有效且接近实际情况的计算/考量方法。两者都具有I2，通常在大电流领域中半导体的性质失效，仅作为电阻存在，该电阻若视为ｒ则损耗为I2ｒ，即I2表示损耗的部分。因此，I2･ｔ定量电流强度，I2･√ｔ定量升温。
除SBD（肖特基二极管）产品的接合容量特性图形外都为最大值、保证值。接合容量特性图形所记录的为典型值 （TYP）。平均正向电流的额定曲线，划线的地方即为150℃值。
意为稳定状态下的正向电流公差值。
※不包括过量通电（超负荷电流、短时间内的脉冲浪涌电流)。 符合规格书中范围值内的实效正向电流才可使用。但是，即使电流处于保证值范围内，也会受散热环境、使用状况等条件的影响导致散热出现问题，无法正常运作。
建议保管条件如下所示：
＜开封前＞
保存温度 5～35℃ / 保存湿度 45～70% RH
针对需进行回流焊的SMD贴装器件为对象设定MSL基准，京瓷功率器件产品的MSL等级都为1。（无需防湿捆包）
根据通电条件的占空比（DUTY）来确定。 假设，矩形波/峰值电流2A的情况下，若占空比为50%以内，平均电流1A以下，则处于所保证的范围内。若占空比超过50%，则超出保证范围，不可使用。且峰值电流不可超出最大正向浪涌电流。
●各波形的平均正向电流计算方式
- 矩形波 IF(Avg)＝IFP × Duty
- 正弦半波 IF(Avg)＝IFP × {(2×Duty)／π}
- 三角波 IF(Avg)＝（IFP／2） × Duty
避免直接连接，有必要考虑布线方案、均等配置布线电抗器以及商讨如何优化系列电阻之类的连接方法。请按照具有相同特性的进行组合（同一制造批号、购入单位）。粒子的特性和温度有紧密关系，温度不均衡容易导致并联时产生不平衡电流。因此，紧密排列或者使用同一散热翅片使粒子温度均衡化才较为有效。
紧固扭矩的推荐值为0.4～0.8Nm。
高速FRD采用直接2串联式连接，电压很难达到均衡。（不采用电压保护协调式的连接）特别在快速开关时产生的转流浪涌电压使得2粒子的逆向恢复特性带来的偏差造成分担电压大不相同。也会受其他部件的发热和散热环境的影响造成较大的偏差。因此，至少0：100是有可能发生的。为了减少该偏差，可以通过每个粒子上安置分担电容来解决。根据使用条件不同，分担电容值会有差异，因此不会指定特定值。以数十pF～数百pF为基准来确认是否能分担电压。根据Ｃ(容量)来抑制RIPPING。若是抑制稳定的反向电压，使用连接Ｒ（电阻）的方法。总之，不另外加上C・R则无法获得电压均衡。
像轴向、小型SMD的二极管一封装仅搭载单芯片的管子进行并联来看，以１：0.6（62.5%：37.5%)为基准来考虑较为妥当。像TO-220封装里搭载双芯片的管子来看，由于都在一个封装内且受热均衡，则以１：0.8(55.6%：44.4%)程度的分流比来考虑。
Ｉ2･t以电能强度达到足以熔断保险丝为基准，来考量短时间脉冲电流的耐量，分立器件通过实测结果来确认I2√t近似值。因此，大电流额定产品可根据I2･t 进行计算，分立器件则根据I2√t来计算保证值。 但是，这种情况下并不是无限制地提升耐压，通电为100μs以下，则100μs的值为上限值。如通电时长为数ms且Duty较大的情况下，根据实效值可能还会产生限制。
●容许电流的计算公式
I2√ｔ ＝（IFSM／√2）2× √10ms
IFSM：规格书、产品手册中所示的浪涌正向电流耐量值
ｔ ：通电时间(100μs＝0.0001s Min）
各数值代入上述公式，即能算出容许电流；得出I值。但是，根据波形、通电频率还需要修正。
矩形波：I 值本身 三角波：I×√3 正弦半波：I×√2
- 単单发通电：设定寿命中回路内仅1次通电。容许电流值本身。
- 1日内几次通电：上电等不规则导致的长间隙性通电。容许电流值的１／２ （单发通电的１／２）
- 连续通电：连贯性地通电。容许电流值的１／４ （单发通电的１／４）
RECTANGLE的首字母，意为矩形波。表示360°为1周期的电流导通角。
例)Duty50%＝RECT180°，Duty25%＝RECT90°
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