11EFS2 2.量产品
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应用
- 电源供应
- 工业设备
规格
| 系列 | Axial |
|---|---|
| Outline |
3Max ×φ2.7 (DO-41S)
|
| VRRM [V] | 200V |
| Io [A] | 1.0A |
| IFSM [A] | 30.0A |
| IR [mA] | 0.010mA |
| VFM [V] | 0.98V |
| trr [ns] | 30.0ns |
| 工作温度范围 | -40℃ ~ 150℃ |
| Rth(j-c) [°C/W] | 110.0 (j-a)*°C/W |
| Connection type | A |
| 包装形式 | Bulk |
| 每包数量 | 1000 |
| 质量 | 0.170g |
捆包规格
| 包装形式 | Bulk |
|---|---|
| 每包数量 | 1000 |
| 质量 | 0.170g |
技术文件
规格书 / 图纸
11EFS2-file.pdf (1067.55KB)
常见问题
更多高速FRD采用直接2串联式连接，电压很难达到均衡。（不采用电压保护协调式的连接）特别在快速开关时产生的转流浪涌电压使得2粒子的逆向恢复特性带来的偏差造成分担电压大不相同。也会受其他部件的发热和散热环境的影响造成较大的偏差。因此，至少0：100是有可能发生的。为了减少该偏差，可以通过每个粒子上安置分担电容来解决。根据使用条件不同，分担电容值会有差异，因此不会指定特定值。以数十pF～数百pF为基准来确认是否能分担电压。根据Ｃ(容量)来抑制RIPPING。若是抑制稳定的反向电压，使用连接Ｒ（电阻）的方法。总之，不另外加上C・R则无法获得电压均衡。
像轴向、小型SMD的二极管一封装仅搭载单芯片的管子进行并联来看，以１：0.6（62.5%：37.5%)为基准来考虑较为妥当。像TO-220封装里搭载双芯片的管子来看，由于都在一个封装内且受热均衡，则以１：0.8(55.6%：44.4%)程度的分流比来考虑。
除SBD（肖特基二极管）产品的接合容量特性图形外都为最大值、保证值。接合容量特性图形所记录的为典型值 （TYP）。平均正向电流的额定曲线，划线的地方即为150℃值。
针对需进行回流焊的SMD贴装器件为对象设定MSL基准，京瓷功率器件产品的MSL等级都为1。（无需防湿捆包）
建议保管条件如下所示：
＜开封前＞
保存温度 5～35℃ / 保存湿度 45～70% RH
相关术语
更多PN接面整流器，具有快速反向恢复时间 (trr)，适用于高频电源整流的二极管。
《二极管》从正向通电状态切换到反向时，恢复反向阻断能力所需时间。
将电子元器件安装在印刷基板的方法之一。将电子元器件的焊尾（焊接端子）插入基板的通孔，并将其浸入焊锡槽中进行安装的方法。
可重复施加的反向电压的峰值/可在阳极与阴极间重复施加的反向电压的峰值。
在指定的条件下可在商用频率（50Hz/60Hz）下过载的最大平均电流。
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